1. 철강의 산처리 공정 중 표면에 발생한 스머트(Smut) 제거 방법을 쓰시오. 2. 헐셀시험(Hull Cell Test) 석출 상태를 관찰함으로써 알 수 있는 항목 4가지를 쓰시오.
3. 습식도금에서 피도금체를 음극에 장입하는 방식 2가지를 설명하시오.
4. pH(Potential of Hydrogen)란 수소이온농도 [H+]의 역대수로 정의한다. pH1과 pH3의 수소이온농도는 몇 배 차이가 나는지 설명하시오. 5. 페러데이(Faraday)의 법칙에서 전해질 수용액 중에 흐르는 전기량이 일정하면 전극에 석출되는 물질의 양은 무엇에 비례하는지 설명하시오. 6. 도금 제품의 내식성 시험 중 가스부식시험에 대하여 설명하고 가스부식시험의 종류를 5가지 쓰시오. 7. 건식박막 진공증착 공정의 일종으로 기판(Substrate)원자의 결정학적 배열이 일정한 연관성을 갖도록 박막의 원자를 성장시키는 증착 방법을 설명하시오. 8. 전해질 수용액 반응식 aA+bB→cC+dD에서 평형상수[K] 값을 설명하시오.
9. 플라스마(Plasma) 표면개질은 물질 표면 성질들에 의해 매우 영향을 받는다. 그 요소 4가지를 쓰시오.
10. 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)의 측면부식(Side Etching)이 되었을 때 부식된 깊이의 비율이 1.3보다 커야 하고 통상적으로 2.5∼3.6의 값을 보인다. 이것의 명칭을 쓰시오. 11. 알루미늄 합금의 표면처리 방법 중 산화피막을 형성하는 공정과정은 탈지 → 에칭 → 연마 → 스머트제거 → (a) → (b) → 봉공처리 → 건조이다. 괄호 (a), (b)의 작업공정 명칭을 쓰고 설명하시오. 12. 수소취성은 전기도금 과정에서 발생된 수소가 철강재에 침투하여 모재의 취성을 증가시키는 현상이다. 수소취성을 완화하기 위한 후처리 공정을 설명하시오. 13. 이온 플레이팅의 기본 조건 4가지를 쓰시오.
2 교 시
1. 건식박막 증착공정인 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)법에 대하여 설명하시오.
2. 스테인리스강의 예민화에 대하여 설명하시오. 3. 이온 빔(Ion Beam)으로 세척하는 방법에 대하여 설명하시오. 4. 가공 변질층(Deformed Layer)에 대하여 그림과 함께 설명하시오.
5. 화성피막처리인 인산염피막처리(Parkerizing)와 흑색산화피막처리(Black Oxidizing)를 비교하여 설명하시오. 6. 전기도금에서 양극과 음극의 전류효율(Current Efficiency)에 대하여 설명하시오.
3 교 시
1. 알루미늄의 양극산화(Anodizing) 공정에서 봉공처리의 목적과 방법을 설명하시오.
2. 진공박막 증착법인 ALD(Atomic Layer Deposition) 증착법에 대하여 설명하시오.
3. 스테인리스 재료의 화학연마(Chemical Polishing)와 전해연마(Electro Polishing)를 비교하여 설명하시오. 4. 친환경적인 표면처리 방법을 설명하시오. 5. 전해전위(電解電位)는 평형전위(平衡電位)보다 항상 크며 분극(分極) 편차의 크기를 과전압(過電壓)이라고 한다. 금속이온의 확산에 의한 활성화과전압(活性化過電壓)에 대하여 설명하시오. 6. 광택니켈도금을 위한 1차 광택제와 2차 광택제의 상호 평활작용에 대하여 설명하시오.
4 교 시
1. 강의 침탄경화법(Carburizing)에 대하여 설명하시오. 2. CVS(Cyclic Voltammetry Stripping)의 전기화학적 원리와 응용기술에 대하여 설명하시오.
3. 박막의 면저항(Sheet Resistance)과 비저항의 관계식을 쓰고, 면저항 측정법인 4탐침 측정법(Four Point Probe)에 대하여 설명하시오. 4. 피도금체의 활성화처리에 대하여 설명하시오. 5. 도금액의 유기 불순물과 무기 불순물의 유입경로, 도금에 미치는 현상, 불순물을 제거하는 방법을 설명하시오. 6. 용융아연 도금 공정에서 플럭스(Flux)의 처리 목적을 쓰고, 플럭스(Flux)로 구비해야 할 조건을 5가지 쓰시오.
1. 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)의 부식(Etching)액 제조방법을 설명하시오. 2. 전기화학적 희생양극의 방식원리를 설명하시오. 3. 서브제로처리의 목적을 설명하시오. 4. 오스템퍼링 열처리에 대하여 설명하시오. 5. 전착도장과 분체도장 기술과 개발동향을 설명하시오. 6. 은(Ag)이 대기 중에서 변색되는 원인을 설명하고, 변색 방지를 위하여 은도금 후처리에 사용되는 전해법의 작업조건을 설명하시오. 7. 펄스전기도금법을 설명하고, 펄스 통전시간과 전류 중단시간을 활용하여 주기(Cycle)와 듀티 비(Duty Ratio)에 대하여 설명하시오.
8. 고속도강을 이용한 정밀절삭공구나 정밀금형의 피복처리에서 CVD보다 PVD가 주로 사용되는 이유를 설명하시오. 9. 증착 박막의 밀착력 평가법으로서 스크래치 시험법과 비커스 압흔법에 대하여 설명 하시오. 10. 시안화구리 도금에서 적당한 탄산염의 허용 농도 범위를 작성하고, 탄산염량이 서서히 생성, 축적되는 원인과 탄산염이 증가했을 때 제품에 나타나는 현상을 설명하시오. 11. 전류농도에 대하여 설명하시오. 12. 에칭 부식액이 구비해야 할 기본적인 요건 4가지를 설명하시오. 13. 전기도금에서 pH(수소이온지수)가 도금에 미치는 영향에 대하여 설명하시오.
2 교 시
1. 산화에 의해 금속표면에 생긴 산화물층을 스케일이라 부르고 약 3000Å 이하의 산화물층을 산화막(Oxide Film)이라 부르고 있다. 산화와 부식을 정의하고 전기화학적 부식을 표준 단극전위, 분극, 과전압과 연관지어 설명하시오. 2. 타이타늄의 부식결함에 대하여 설명하시오. 3. 한 욕에서 2종 이상의 금속 또는 비금속을 동시에 석출시키는 도금법을 합금도금이라고 하는데, 합금도금이 단일금속도금보다 우수한 특성을 5가지 쓰고, 합금도금이 되기 위한 석출전위의 요건에 대하여 설명하시오. 4. 반도체 증착공정에서 Step Coverage의 정의와, Step Coverage에 미치는 Sticking Coefficient와 Mean Free Path(MFP)의 영향에 대하여 설명하시오. 5. 니켈(Ni)이 12～15% 함유된 아연-니켈 합금 도금의 특징에 대하여 설명하시오. 6. 배럴(Barrel) 도금에서는 정지욕 도금에 비해서 욕 성분의 변동이 심하다. 그 원인을 3가지 쓰고 대책을 설명하시오.
3 교 시
1. 타이타늄의 열처리에서 용체화 처리에 대하여 설명하시오. 2. 아연(Zn)도금에 있어서 6가 크로메이트의 규제배경과 3가 크로메이트 적용의 필요성, 석출 메커니즘에 대하여 설명하시오. 3. 금속침투법에서 세라다이징, 칼로라이징, 크로마이징, 실리코나이징, 보로나이징에 대하여 설명하시오. 4. PVD에서 고주파 스퍼터링법(RF Sputtering)과 반응성 스퍼터링법(Reactive Sputtering)을 설명하시오. 5. 주석(Sn)치환도금(Immersion Tin Plating)을 위한 알루미늄(Al) 합금 주물재료 피스톤상 주요공정에 대하여 설명하시오. 6. 인산염 피막처리에서 표면조정의 목적을 설명하시오.
4 교 시
1. 벌이나 나비, 곤충 등, 생물의 피부를 모방(Biomimetics)한 유해염료 생략형 양극산화 전해 착색(Electro-coloring)의 기본원리와 드론 등의 응용제품 적용기술에 대하여 설명하시오. 2. 고강도 경량 타이타늄(Ti)의 양극산화에 의한 착색기술에 대하여 설명하시오. 3. 반도체 산업의 증착 공정에 CVD가 많이 사용된다. 상압CVD에서 저압CVD, 플라스마 CVD, 고밀도 플라스마CVD로의 변천 과정을 공정별 요구 특성에 기반하여 설명하시오. 4. 한계전류밀도()를 정의하고, 고속도 전기도금과 관련하여 값을 높이기 위한 방안을 설명하시오. 5. 졸-겔(Sol-Gel)박막 코팅 방법에서 스핀 코팅(Spin Coating)의 특징과 아래 각 단계를 설명하시오. (1) 1단계(Deposition) (2) 2단계(Spin-Up) (3) 3단계(Spin-Off) (4) 4단계(Evaporation) 6. 전주도금(Electroforming)의 특징을 설명하시오.
1. Ti,Al,Cr합금강및스테인리스강이산화분위기와환원분위기에있을때부동태 성질변화를설명하시오. 2. 도금액은 pH에 따라 두 종류로 대별된다. 구리도금액 중 액성 영역별로 대표적인 도금액명칭을2개씩쓰시오. 3. 산소(O), 질소(N), 황(S) 원소 등을 함유한 화합물은 반데르발스(Van Der Waals) 힘으로제품표면의플러스또는마이너스전하에끌려물리적또는화학적으로흡착 하는원인을2가지쓰시오. 4. 전기 도금에서 도금액의 분극현상이 증가할수록 균일 전착성이 향상되는 이유를 설명하시오. 5. 전기도금시주로사용되는전류는직류전류이다.특별한효과를위하여 P.R(Periodic Reverse) 즉정, 부의전류를주기적으로공급하는전류를사용하기도한다. P.R(Periodic Reverse)전류효과를 3가지 쓰시오. 6. 옴(Ohm)의 법칙을 설명하시오. 7.액체침탄법에서침탄제로많이사용되는NaCN54%,Na2CO3 44%,기타2%조성으로 처리할때화학적인침탄반응식을설명하시오.
8. 다음은 도금액 평가를 위한 헐셀시험을 통해서 얻은 음극판의 도금상태를 나타낸 것이다. (1), (2)도금부호의도금상태를 표시하시오.
9. 증발법(Evaporation) PVD 코팅층은 PVD 공정 조건에 따라서 단일 결정막 또는 다결정막으로 형성할 수 있다. 증발법의 공정 인자를 4가지 쓰시오. 10. 이온 플레이팅은 바렐도금(Barrel Plating) 방식으로도 적용할 수 있다. 바렐 도금을 적용할수있는제품에관하여설명하시오. 11. 황동에서 발생하는고온 탈아연(dezincification) 현상을 설명하시오.
12. 표면처리 수세 공정에 대한 내용으로 아래 1)∼4) 문항 중 틀린 것을 3개 선택하고 올바르게수정하시오. 1) 수세에필요한물은 이온수를사용할수있도록설비하여야한다. 2) 수세를할때에교반장치를사용하면이물질이포함될수있어사용하지않아야한다. 3) 수세효과를 높이기 위하여 계면활성제를 사용하도록한다. 4) 수세수를 절약하고, 수세효과를 높이기 위해서 다단 순류 수세(sequence flow), 분무수세,온수수세 등이가능하도록설비한다. 13. 건식표면처리에적용할수있는펌프는10-4~10-7mmHg(torr)정도의고진공을요구 한다.챔버(Chamber)내고진공도를구현할수있는펌프종류를2가지쓰시오.
2 교 시
1. 화학적 부식 반응에 영향을 미치는 인자로서 화학 친화력(Chemical Affinity)을 화학 반응사례와함께 설명하시오. 2. 전해질 용액 중에서 Fe(s)와 Cu(s)가 접촉하였을 때 나타나는 유전부식(갈바닉 부식) 반응을설명하시오. 3. 다음은 일반적인 광택니켈도금액 건욕에 사용하는 약품이다. 각 약품의 역할을 설명 하시오. 1)활성탄,
2)과산화수소,
3)계면활성제,4)사칼린
4. 합금도금 피막의 석출조건에대하여설명하시오.
5. 용사코팅 전처리 방법에 대하여 설명하시오. 6. 진공증착 공정에서평균 자유행로(Mean Free Path; MFP)에 대하여설명하시오.
3 교 시
1. 금속제품의 전기화학적부식을예방하는 방법을 사례와 함께 설명하시오. 2. 원통형 강재를 고주파 경화법으로 표면경화할 때 침투깊이에 영향을 미치는 주파수와 유효깊이의관계를설명하시오. 3. 무광택 니켈도금액의 하나인 왓트(Watt)욕의 주요성분 표준조성은 황산니켈 240g/L, 염화니켈 45g/L, 붕산 30g/L이다. 이 3가지 물질의 특성, 역할 및 영향을 각각 설명 하시오. 4. 화성처리 및 크로메이트 피막(Chromating) 처리에 대하여 설명하시오. 5. 바렐연마 전처리 공정에서 연마제와 컴파운드(Compound)의 비율을 정량적으로 관리 하는 일은매우 중요한데이 중에컴파운드의 효과에 대하여 설명하시오. 6.알루미늄합금제품은코팅공정에앞서알칼리에칭전처리를수행하여야한다.알칼리 에칭공정에글루콘산나트륨(SodiumGluconate;C6H11NaO7)을첨가제로사용하는이유를 설명하시오.
4 교 시
1.도금공정체크리스트중에서물질안전보건자료(MSDS)의활용항목을5가지설명하시오.
2. 고분자 전해질형연료전지분야의분리판에 적용되는표면처리필요성을 설명하시오.
3. 전기도금(Electroplating)시 음극에서 발생하는 수소 취성의 원인과 방지방법에 대하여 설명하시오. 4.도금액의첨가제평가및관리법으로주로사용되는CVS(CyclicVoltametryStripping)법에 대하여설명하시오. 5.전해연마(Electro-Polishing)와화학연마(ChemicalPolishing)처리의차이점을설명하시오.
